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QFN32-0.5芯片測試翻蓋彈片老化座詳細信息/Detailed Information

QFN32-0.5芯片測試翻蓋彈片老化座

材料&特性：
socket本體：PEI
彈片材料：铍銅
彈片鍍層：鎳金
操作壓力：0.5KG min ，PIN越多壓力越大
絕緣阻抗：1,000MΩ，500VDC
最大電流：2A
使用溫度：-55℃~175℃@3000小時
機械壽命：15000次
訂購熱線(xiàn)：13631538587
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特點：
座子外殼采用特殊的工程塑膠，強度高、壽命長
彈片采用進口铍銅材料，阻抗小、彈性号、壽命長
鍍金層加厚，觸點加厚電鍍，接觸穩定超低接觸阻抗、抗氧化程度高
适用于間距爲：0.35、0.4、0.5、0.65的标準封裝芯片

材料&特性：
socket本體：PEI
彈片材料：铍銅
彈片鍍層:鎳金
操作壓力：0.5KG min ，PIN越多壓力越大
絕緣阻抗：1,000MΩ500VDC
最大電流：2A
使用溫度：-55℃~175℃@3000小時
機械壽命：15000次


工廠介紹


鴻怡電子生産QFN32-0.5芯片測試翻蓋彈片老化座，同時還生産其他種類齊全的芯片封裝測試座/老化座/燒錄座/測試夾具/BGA/EMMC/EMCP/QFP/QFN/SOP/SOT/DDR/FPC/connector/IMU socket等。

QFN芯片老化座

QFN32pin老化測試座

QFN封裝芯片老化座

老化座 芯片測試座 老化座 老化座

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芯片封裝形式：DFN
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芯片引腳間距：1.05mm
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